Il semble que vous ayez désactivé JavaScript dans votre navigateur. Certaines fonctions sur cette page ne fonctionneront pas à moins que vous vous connectiez.

Vous voyez une erreur ?

MSC010SDA170B

Name: Microchip MSC010SDA170B
Brand: Microchip Technology
SKU: 494-MSC010SDA170B
Price: 7.59 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

494-MSC010SDA170B

N° de fab. :

MSC010SDA170B

Fab. :

Microchip Technology

Description :

Diodes Schottky SiC UNRLS, FG, GEN2 SIC SBD

Afficher dans le Sélecteur d'outils de développement

Fiche technique:

MSC010SDA170B Fiche technique

Modèle de ECAO:

Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

Plus d'informations

En savoir plus à propos de Microchip Technology MSC010SDA170B

En stock: 105

Stock:: 105 Expédition possible immédiatement

Une erreur inattendue est survenue. Veuillez réessayer ultérieurement.
Délai usine :: 2 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.

Entrez la quantité:

Minimum : 1 Multiples : 1

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	7,59 €	7,59 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Microchip
Catégorie du produit:	Diodes Schottky SiC
RoHS:
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-247-2
Configuration:	Single
If - Courant direct:	10 A
Vrrm - Tension inverse répétitive:	1.7 kV
Vf - Tension directe:	1.5 V
Ifsm - Courant de surtension direct:	90 A
Ir - Courant inverse:	200 uA
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Série:	MSC0
Conditionnement:	Tube
Marque:	Microchip Technology
Type de produit:	SiC Schottky Diodes
Nombre de pièces de l'usine:	30
Sous-catégorie:	Diodes & Rectifiers
Vr - Tension inverse:	1.7 kV
Poids de l''unité:	13,047 g

Produits trouvés:

Pour consulter des produits similaires, sélectionnez au moins une case.

Sélectionnez au moins une case pour consulter des produits similaires dans cette catégorie.

Attributs sélectionnés: 0

Filtrer les documents:

PCN

Cette fonctionnalité nécessite l'activation de JavaScript.

Codes de conformité

TARIC:: 8541100000
CNHTS:: 8541100000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
JPHTS:: 854110090
KRHTS:: 8541109000
MXHTS:: 8541100199
BRHTS:: 85411099
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Philippines
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: États-Unis

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

Semi-conducteurs en carbure de silicium (SiC)

Les semi-conducteurs en carbure de silicium (SiC) de Microchip Technology constituent une option innovante pour les concepteurs d'électronique de puissance qui cherchent à améliorer l'efficacité du système, à en réduire le facteur de forme et à augmenter la température de fonctionnement de produits couvrant les segments de marché industriel, médical, militaire/aérospatial, aéronautique et des communications. Les MOSFET au SiC et les diodes à barrière Schottky (SBD) au SiC de nouvelle génération de Microchip sont conçus avec une capacité répétitive et élevée de commutation inductive non bridée (UIS) et ses MOSFET au SiC conservent une capacité UIS élevée d'environ 10 J/cm² à 15 J/cm² et une protection robuste contre les courts-circuits de 3 à 5 ms. Les SBD SiC de Microchip Technology sont conçus avec un courant de choc, une tension directe, une résistance thermique et une capacité thermique équilibrés à de faibles courants inverses pour une perte de commutation réduite. Les MOSFET SiC et les SBD SiC peuvent aussi être combinés pour être utilisés dans des modules.

Silicon Carbide (SiC) Schottky Barrier Diodes

Microchip Technology Silicon Carbide (SiC) Schottky Barrier Diodes (SBD) offer dynamic and thermal performance over conventional Silicon (Si) power diodes. SiC devices offer a much greater dielectric breakdown field strength, higher bandgap, and higher thermal conductivity compared to Silicon-only devices. SiC SBDs feature zero forward and reverse recovery charges, reducing diode switching losses. These devices also offer temperature-independent switching, ensuring stable high-temperature performance.