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MSCMC120AM03CT6LIAG

N° Mouser :

494-MSCMC120AM03CT6L

N° de fab. :

MSCMC120AM03CT6LIAG

Fab. :

Microchip Technology

Description :

Modules à semi-conducteurs discrets CC6263

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Cycle de vie:

Obsolète

Fiche technique:

MSCMC120AM03CT6LIAG Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Microchip
Catégorie du produit:	Modules à semi-conducteurs discrets
Restrictions en matière d'expédition :	Mouser ne vend pas actuellement ce produit dans votre région.
RoHS:
Technologie:	Si
Conditionnement:	Tube
Marque:	Microchip Technology
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	Not Available
Type de produit:	Discrete Semiconductor Modules
Nombre de pièces de l'usine:	1
Sous-catégorie:	Discrete Semiconductor Modules

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USHTS:: 8541590080
ECCN:: EAR99

Semi-conducteurs en carbure de silicium (SiC)

Les semi-conducteurs en carbure de silicium (SiC) de Microchip Technology constituent une option innovante pour les concepteurs d'électronique de puissance qui cherchent à améliorer l'efficacité du système, à en réduire le facteur de forme et à augmenter la température de fonctionnement de produits couvrant les segments de marché industriel, médical, militaire/aérospatial, aéronautique et des communications. Les MOSFET au SiC et les diodes à barrière Schottky (SBD) au SiC de nouvelle génération de Microchip sont conçus avec une capacité répétitive et élevée de commutation inductive non bridée (UIS) et ses MOSFET au SiC conservent une capacité UIS élevée d'environ 10 J/cm² à 15 J/cm² et une protection robuste contre les courts-circuits de 3 à 5 ms. Les SBD SiC de Microchip Technology sont conçus avec un courant de choc, une tension directe, une résistance thermique et une capacité thermique équilibrés à de faibles courants inverses pour une perte de commutation réduite. Les MOSFET SiC et les SBD SiC peuvent aussi être combinés pour être utilisés dans des modules.