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MSCSM120DAM31CTBL1NG

Name: Microchip MSCSM120DAM31CTBL1NG
Brand: Microchip Technology
SKU: 579-M120DAM31CTBL1NG
Price: 75.99 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

579-M120DAM31CTBL1NG

N° de fab. :

MSCSM120DAM31CTBL1NG

Fab. :

Microchip Technology

Description :

Modules à semi-conducteurs discrets PM-MOSFET-SIC-SBD-BL1

Fiche technique:

MSCSM120DAM31CTBL1NG Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Microchip
Catégorie du produit:	Modules à semi-conducteurs discrets
Produit:	MOSFET-SiC SBD Modules
Type:	MOSFET / SiC SBD
Technologie:	SiC
Vf - Tension directe:	1.5 V
Vr - Tension inverse:	1.2 kV
Vgs - Tension grille-source:	- 10 V, + 25 V
Style de montage:	Screw Mount
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Marque:	Microchip Technology
Configuration:	Boost Chopper
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	PH
Temps de descente:	25 ns
Id - Courant continu de fuite:	79 A
Pd - Dissipation d’énergie :	310 W
Type de produit:	Discrete Semiconductor Modules
Rds On - Résistance drain-source:	31 mOhms
Temps de montée:	30 ns
Nombre de pièces de l'usine:	1
Sous-catégorie:	Discrete Semiconductor Modules
Polarité du transistor:	N-Channel
Délai de désactivation type:	50 ns
Délai d'activation standard:	30 ns
Vds - Tension de rupture drain-source:	1.2 kV