Il semble que vous ayez désactivé JavaScript dans votre navigateur. Certaines fonctions sur cette page ne fonctionneront pas à moins que vous vous connectiez.

Vous voyez une erreur ?

MSCSM120HM50CT3AG

Name: Microchip MSCSM120HM50CT3AG
Brand: Microchip Technology
SKU: 494-120HM50CT3AG
Price: 116.17 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

494-120HM50CT3AG

N° de fab. :

MSCSM120HM50CT3AG

Fab. :

Microchip Technology

Description :

Modules à semi-conducteurs discrets PM-MOSFET-SIC-SBD-SP3F

Afficher dans le Sélecteur d'outils de développement

Fiche technique:

MSCSM120HM50CT3AG Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

En stock: 6

Stock:: 6 Expédition possible immédiatement

Une erreur inattendue est survenue. Veuillez réessayer ultérieurement.
Délai usine :: 20 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.

Les quantités supérieures à 6 seront soumises à des commandes minimales.

Entrez la quantité:

Minimum : 1 Multiples : 1

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Ce produit est expédié GRATUITEMENT

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	116,17 €	116,17 €
	116,16 €	11 616,00 €
250	Devis

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Microchip
Catégorie du produit:	Modules à semi-conducteurs discrets
RoHS:
Produit:	MOSFET-SiC SBD Modules
Type:	Full Bridge
Technologie:	SiC
Vf - Tension directe:	1.5 V
Vr - Tension inverse:	1.2 kV
Vgs - Tension grille-source:	- 10 V, + 25 V
Style de montage:	Screw Mount
Package/Boîte:	SP3F
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 125 C
Conditionnement:	Bulk
Marque:	Microchip Technology
Temps de descente:	25 ns
Id - Courant continu de fuite:	55 A
Pd - Dissipation d’énergie :	245 W
Type de produit:	Discrete Semiconductor Modules
Rds On - Résistance drain-source:	50 mOhms
Temps de montée:	30 ns
Nombre de pièces de l'usine:	1
Sous-catégorie:	Discrete Semiconductor Modules
Polarité du transistor:	N-Channel
Délai de désactivation type:	50 ns
Délai d'activation standard:	30 ns
Vds - Tension de rupture drain-source:	1.2 kV
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	1.8 V