MT40A512M16LY-062E IT:E

340-345834-TRAY
MT40A512M16LY-062E IT:E

Fab. :

Description :
DRAM DDR4 8G 512MX16 FBGA Z11B

Cycle de vie:
Vérifiez le statut auprès de l''usine:
Les informations sur le cycle de vie ne sont pas claires. Obtenez un devis afin de vérifier la disponibilité de cette référence auprès du fabricant.
Modèle de ECAO:
Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

Disponibilité

Stock:

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
Micron Technology
Catégorie du produit: DRAM
RoHS:  
SDRAM - DDR4
8 Gbit
16 bit
1.6 GHz
FBGA-96
512 M x 16
13.75 ns
1.14 V
1.26 V
- 40 C
+ 95 C
MT40A
Tray
Marque: Micron
Sensibles à l’humidité: Yes
Style de montage: SMD/SMT
Type de produit: DRAM
Nombre de pièces de l'usine: 1080
Sous-catégorie: Memory & Data Storage
Courant d’alimentation maximal: 83 mA
Poids de l''unité: 3,461 g
Produits trouvés:
Pour consulter des produits similaires, sélectionnez au moins une case.
Sélectionnez au moins une case pour consulter des produits similaires dans cette catégorie.
Attributs sélectionnés: 0

                        
The factory is currently not accepting orders for this product.

Cette fonctionnalité nécessite l'activation de JavaScript.

Codes de conformité
CNHTS:
8542329010
CAHTS:
8542320020
USHTS:
8542320036
MXHTS:
8542320201
ECCN:
EAR99
Classifications d’origine
Pays d'origine:
Taïwan
Pays d'origine de l'assemblage:
Non disponible
Pays de diffusion:
Non disponible
Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

DDR4 SDRAM

Micron DDR4 SDRAM has new features centered on power savings, performance enhancement, manufacturability, and reliability improvements. These features improve performance, power, manufacturability, reliability and stacking capabilities for the enterprise, cloud, ultrathin, tablet, automotive and embedded markets. DDR4 has data rates up to 3200MT/s, an operating voltage of 1.2V and additional power saving features. Increases performance up to 50% and deliver total energy savings up to 25% compared to DDR3.