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MT41K128M16JT-107:K

Name: Micron Technology MT41K128M16JT-107:K
Brand: Micron
SKU: 340-135786-TRAY
Price: 15.22 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

340-135786-TRAY

N° de fab. :

MT41K128M16JT-107:K

Fab. :

Micron

Description :

DRAM DDR3 2Gbit 16 96/144FBGA 1 CT

Cycle de vie:

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Fiche technique:

MT41K128M16JT-107:K Fiche technique (PDF)

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Micron Technology
Catégorie du produit:	DRAM
RoHS:
Type:	SDRAM - DDR3L
Taille de la mémoire:	2 Gbit
Largeur du bus de données:	16 bit
Fréquence de l'horloge max.:	933 MHz
Package/Boîte:	FBGA-96
Organisation:	128 M x 16
Temps d'accès:	13.91 ns
Tension d’alimentation - Min.:	1.283 V
Tension d’alimentation - Max.:	1.45 V
Température de fonctionnement min.:	0 C
Température de fonctionnement max.:	+ 95 C
Série:	MT41K
Conditionnement:	Tray
Marque:	Micron
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	TW
Sensibles à l’humidité:	Yes
Style de montage:	SMD/SMT
Type de produit:	DRAM
Nombre de pièces de l'usine:	1224
Sous-catégorie:	Memory & Data Storage
Courant d’alimentation maximal:	68 mA
Poids de l''unité:	3,058 g

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Fiche technique

MT41K128M16JT-107:K Fiche technique (PDF)

Models

MT41K128M16JT-107:K Symbol & Footprint by SnapMagic

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CNHTS:: 8542329010
CAHTS:: 8542320020
USHTS:: 8542320036
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: EAR99

MT41x DDR3 SDRAMs

Alliance Memory MT41x DDR3 SDRAMs use double data rate architecture with an interface to transfer two data words per clock cycle at I/O pins. The MT41x DDR3's double data rate architecture is an 8n-prefetch architecture that helps to achieve high-speed operations. These SDRAMs operate from CK and CK# differential clock inputs. The MT41x DDR3 employs a burst-orientated approach to read and write with access starting at the selected location and continuing in a programmed sequence. These SDRAMs use READ and WRITE BL8 and BC4. The MT41x DDR3 SRAMs can operate concurrently due to their pipelined and multibank architecture. This helps in providing high bandwidth by hiding row precharge and activation time. These SDRAMs feature self-refresh mode, power-saving mode, and power-down mode.