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MT41K512M8DA-125:P

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N° Mouser :

340-295645-TRAY

N° de fab. :

MT41K512M8DA-125:P

Fab. :

Micron

Description :

DRAM

Cycle de vie:

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Fiche technique:

MT41K512M8DA-125:P Fiche technique (PDF)

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MT41K512M8DA-107:P TR

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Micron Technology
Catégorie du produit:	DRAM
RoHS:
Taille de la mémoire:	4 Gbit
Package/Boîte:	FBGA-78
Organisation:	512 M x 8
Tension d’alimentation - Min.:	1.283 V
Tension d’alimentation - Max.:	1.45 V
Série:	MT41K
Conditionnement:	Tray
Marque:	Micron
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	Not Available
Style de montage:	SMD/SMT
Type de produit:	DRAM
Nombre de pièces de l'usine:	1440
Sous-catégorie:	Memory & Data Storage

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Fiche technique

MT41K512M8DA-125:P Fiche technique (PDF)

CNHTS:: 8542320000
CAHTS:: 8542320020
USHTS:: 8542320036
MXHTS:: 8542320201
ECCN:: 3B992

MT41x DDR3 SDRAMs

Alliance Memory MT41x DDR3 SDRAMs use double data rate architecture with an interface to transfer two data words per clock cycle at I/O pins. The MT41x DDR3's double data rate architecture is an 8n-prefetch architecture that helps to achieve high-speed operations. These SDRAMs operate from CK and CK# differential clock inputs. The MT41x DDR3 employs a burst-orientated approach to read and write with access starting at the selected location and continuing in a programmed sequence. These SDRAMs use READ and WRITE BL8 and BC4. The MT41x DDR3 SRAMs can operate concurrently due to their pipelined and multibank architecture. This helps in providing high bandwidth by hiding row precharge and activation time. These SDRAMs feature self-refresh mode, power-saving mode, and power-down mode.