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MT46V64M8CY-5B:J

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N° Mouser :

340-122563-TRAY

N° de fab. :

MT46V64M8CY-5B:J

Fab. :

Micron

Description :

DRAM DDR 512Mbit 8 60/108FBGA 1 CT

Cycle de vie:

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Fiche technique:

MT46V64M8CY-5B:J Fiche technique (PDF)

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Micron Technology
Catégorie du produit:	DRAM
RoHS:
Type:	SDRAM - DDR
Taille de la mémoire:	512 Mbit
Largeur du bus de données:	8 bit
Fréquence de l'horloge max.:	200 MHz
Package/Boîte:	FBGA-60
Organisation:	64 M x 8
Temps d'accès:	700 ps
Tension d’alimentation - Min.:	2.5 V
Tension d’alimentation - Max.:	2.7 V
Température de fonctionnement min.:	0 C
Température de fonctionnement max.:	+ 70 C
Série:	MT46V
Conditionnement:	Tray
Marque:	Micron
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	SG
Sensibles à l’humidité:	Yes
Style de montage:	SMD/SMT
Type de produit:	DRAM
Nombre de pièces de l'usine:	1368
Sous-catégorie:	Memory & Data Storage
Courant d’alimentation maximal:	85 mA
Poids de l''unité:	4,605 g

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CNHTS:: 8542329010
CAHTS:: 8542320020
USHTS:: 8542320028
MXHTS:: 8542320201
ECCN:: EAR99

Mémoire DDR SDRAM

La mémoire DDR SDRAM Micron est une technologie révolutionnaire et novatrice qui permet aux applications de transférer des données sur les fronts ascendants et descendants d'un signal d'horloge. Cela double la bande passante et améliore les performances par rapport à la mémoire SDRAM SDR. Pour obtenir cette fonctionnalité, Micron utilise une architecture de prélecture 2n où le bus de données internes est le double de la taille du bus de données externes, de sorte que la saisie des données peut se produire deux fois au cours de chaque cycle d'horloge.