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AFT09MS031GNR1

Name: NXP AFT09MS031GNR1
Brand: NXP Semiconductors
SKU: 841-AFT09MS031GNR1
Price: 25.65 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

841-AFT09MS031GNR1

N° de fab. :

AFT09MS031GNR1

Fab. :

NXP Semiconductors

Description :

Transistors MOSFET RF MV9 800MHZ13.6V

Cycle de vie:

Fin de vie:

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Fiche technique:

AFT09MS031GNR1 Fiche technique (PDF)

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Disponibilité

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 500)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	25,65 €	25,65 €
	20,59 €	205,90 €
	18,34 €	1 834,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 500)
	18,05 €	9 025,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	NXP
Catégorie du produit:	Transistors MOSFET RF
RoHS:
REACH - SVHC:
Polarité du transistor:	N-Channel
Technologie:	Si
Id - Courant continu de fuite:	10 A
Vds - Tension de rupture drain-source:	40 V
Fréquence de fonctionnement:	764 MHz to 941 MHz
Gain:	15.7 dB
Alimentation en sortie:	32 W
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	TO-270-2
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	NXP Semiconductors
Transconductance directe - min.:	7.8 S
Sensibles à l’humidité:	Yes
Nombre de canaux:	1 Channel
Pd - Dissipation d’énergie :	317 W
Type de produit:	RF MOSFET Transistors
Série:	AFT09MS031N
Nombre de pièces de l'usine:	500
Sous-catégorie:	MOSFETs
Type:	RF Power MOSFET
Vgs - Tension grille-source:	+ 12 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.6 V
Raccourcis pour l'article N°:	935314738528
Poids de l''unité:	548 mg

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Fiche technique

AFT09MS031GNR1 Fiche technique (PDF)

PCN

Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Malaisie
Pays d'origine de l'assemblage:: Malaisie
Pays de diffusion:: États-Unis

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

PRODUITS PRÉSENTÉS

NXP

High Performance RF

High performance data converters, diodes, ICs, modules & transistors for demanding RF applications.

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AFT09MS031GNR1

Fab. : NXP Semiconductors

Description : Transistors MOSFET RF MV9 800MHZ13.6V

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Prix (EUR)

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PCN

Documents environnementaux

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