AFV121KHSR5

NXP Semiconductors
841-AFV121KHSR5
AFV121KHSR5

Fab. :

Description :
Transistors MOSFET RF Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1000 W Peak, 960-1215 MHz, 50 V

Cycle de vie:
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Disponibilité

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NXP
Catégorie du produit: Transistors MOSFET RF
RoHS:  
N-Channel
Si
112 V
960 MHz to 1.215 GHz
16.9 dB
1.23 kW
- 40 C
+ 150 C
SMD/SMT
NI-1230S-4S
Reel
Marque: NXP Semiconductors
Nombre de canaux: 2 Channel
Type de produit: RF MOSFET Transistors
Série: AFV121K
Nombre de pièces de l'usine: 50
Sous-catégorie: MOSFETs
Type: RF Power MOSFET
Vgs - Tension grille-source: + 10 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source : 2.3 V
Raccourcis pour l'article N°: 935320778178
Poids de l''unité: 8,518 g
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Attributs sélectionnés: 0

Codes de conformité
TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290055
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99
Classifications d’origine
Pays d'origine:
Malaisie
Pays d'origine de l'assemblage:
Malaisie
Pays de diffusion:
Malaisie
Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.