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MGD3162AM550EKT

Name: NXP MGD3162AM550EKT
Brand: NXP Semiconductors
SKU: 771-MGD3162AM550EKT
Price: 9.19 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

771-MGD3162AM550EKT

N° de fab. :

MGD3162AM550EKT

Fab. :

NXP Semiconductors

Description :

Commandes de grilles à isolement galvanique Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters

Fiche technique:

MGD3162AM550EKT Fiche technique (PDF)

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Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
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	7,18 €	71,80 €
	6,67 €	166,75 €
	6,01 €	601,00 €
	5,79 €	1 019,04 €
	5,64 €	2 977,92 €
	5,51 €	5 818,56 €
2 640	Devis

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	NXP
Catégorie du produit:	Commandes de grilles à isolement galvanique
RoHS:
Série:	GD3162
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	SOIC-32
Nombre de canaux:	1 Channel
Tension d'isolation:	8 kVrms
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Conditionnement:	Tray
Marque:	NXP Semiconductors
Sensibles à l’humidité:	Yes
Produit:	Gate Drivers
Rds On - Résistance drain-source:	500 mOhms
Nombre de pièces de l'usine:	176
Tension d’alimentation - Max.:	6 V
Tension d’alimentation - Min.:	4.75 V
Type:	IGBT/SiC Gate Driver
Raccourcis pour l'article N°:	935451598557

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Fiche technique

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Codes de conformité

CNHTS:: 8542399000
CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: États-Unis
Pays d'origine de l'assemblage:: Chine
Pays de diffusion:: États-Unis

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

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