MHT2012NT1

NXP Semiconductors
771-MHT2012NT1
MHT2012NT1

Fab. :

Description :
Amplificateur RF RF LDMOS Integrated Power Amplifier, 2450 MHz, 12.5 W CW, 28 V

Cycle de vie:
Fin de vie:
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Modèle de ECAO:
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En stock: 661

Stock:
661 Expédition possible immédiatement
Délai usine :
53 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
22,89 € 22,89 €
18,33 € 183,30 €
17,18 € 429,50 €
15,93 € 1 593,00 €
15,33 € 3 832,50 €
14,97 € 7 485,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 1000)
14,30 € 14 300,00 €
2 000 Devis

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
NXP
Catégorie du produit: Amplificateur RF
RoHS:  
2.4 GHz to 2.5 GHz
28 V
75 mA
29.7 dB
Power Amplifiers
SMD/SMT
PQFN-24
Si
42.3 dBm
43 dBm
- 40 C
+ 150 C
MHT2012N
Reel
Cut Tape
Marque: NXP Semiconductors
Pays d’assemblage: KR
Pays de diffusion: US
Pays d'origine: US
Sensibles à l’humidité: Yes
Nombre de canaux: 2 Channel
Type de produit: RF Amplifier
Nombre de pièces de l'usine: 1000
Sous-catégorie: Wireless & RF Integrated Circuits
Fréquence de test: 2.45 GHz
Raccourcis pour l'article N°: 935361937528
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Attributs sélectionnés: 0

TARIC:
8542330000
CNHTS:
8542339000
CAHTS:
8542330000
USHTS:
8542330001
MXHTS:
8542330299
ECCN:
EAR99