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NV6169

Name: Navitas Semiconductor NV6169
Brand: Navitas Semiconductor
SKU: 740-NV6169
Price: 17.05 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
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N° Mouser :

740-NV6169

N° de fab. :

NV6169

Fab. :

Navitas Semiconductor

Description :

PMIC - circuit spécialisé dans la gestion de lénergie GaNSense Single 650V 45mOhm PQFN 88

Cycle de vie:

Nouveau produit:

Nouveau chez ce fabricant.

Fiche technique:

NV6169 Fiche technique (PDF)

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-,-- €

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Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	17,05 €	17,05 €
	13,59 €	135,90 €
	12,73 €	318,25 €
	11,88 €	1 188,00 €
	11,58 €	2 895,00 €
	11,46 €	5 730,00 €
	11,10 €	11 100,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	10,82 €	32 460,00 €

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Fabricant:	Navitas Semiconductor
Catégorie du produit:	PMIC - circuit spécialisé dans la gestion de lénergie
RoHS:
Série:	GaNSense
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	PQFN-36
Tension d'entrée - max:	30 V
Tension d'entrée - min.:	9 V
Tension de sortie max.:	5.1 V
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	Navitas Semiconductor
Plage de tensions d'entrée:	9 V to 30 V
Sensibles à l’humidité:	Yes
Plage de tensions de sortie:	4.9 V to 5.3 V
Produit:	GaNFast Power ICs
Type de produit:	Power Management Specialized - PMIC
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	PMIC - Power Management ICs

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Fiche technique

NV6169 Fiche technique (PDF)

Codes de conformité

TARIC:: 8542399000
USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Taïwan
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

NV6169 GaNFast™ Power ICs

Navitas Semiconductor NV6169 GaNFast™ Power ICs combine a high-performance eMode GaN FET with an integrated gate drive for exceptional high-frequency and efficient operation. The Navitas Semiconductor NV6169 features GaNSense™ technology and offers real-time voltage, current, and temperature sensing for enhanced performance and robustness beyond traditional GaN or silicon devices. GaNSense eliminates external current sensing resistors through lossless current sensing, improving efficiency. It also provides short-circuit and over-temperature protection for excellent system reliability and supports auto-standby mode for superior light, tiny, and no-load efficiency. These GaN ICs deliver top-tier dV/dt immunity, high-speed integrated drive, and compact SMT QFN packaging, enabling simple, fast, and reliable design solutions.

Circuits d'alimentation GaNFast™

Les CI d'alimentation GaNFast™ de Navitas Semiconductor sont des composants à entrée numérique/sortie d'alimentation, haute vitesse et hautes performances faciles à utiliser. Les composants disposent d'une commande de grille intégrée, d'une V_CCà large plage et d'entrées MLI, ainsi que d'une protection DES interne de 2 kV et d'une grande plaquette de refroidissement thermique. L'intégration monolithique du pilote et des étages de puissance permettent d'obtenir des fréquences de commutation élevées tout en maintenant le signal clair et en éliminant tout bruit indésirable affectant le contrôle et la fiabilité du composant. Les CI d'alimentation GaNFast permettent un fonctionnement à haute fréquence, qui s'accompagne d'une facilité d'utilisation, d'une flexibilité de conception et d'une compatibilité avec les topologies et les contrôleurs couramment utilisés.