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BC856BQBZ

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N° Mouser :

771-BC856BQBZ

N° de fab. :

BC856BQBZ

Fab. :

Nexperia

Description :

Transistors bipolaires - BJT The factory is currently not accepting orders for this product.

Fiche technique:

BC856BQBZ Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Nexperia
Catégorie du produit:	Transistors bipolaires - BJT
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	SOT-8015-3
Polarité du transistor:	PNP
Configuration:	Single
Courant CC max. du collecteur:	200 mA
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.:	65 V
Collecteur - Tension de base VCBO:	80 V
Émetteur - Tension de base VEBO:	6 V
Tension de saturation collecteur-émetteur :	650 mV
Pd - Dissipation d’énergie :	420 mW
Produit gain-bande passante fT :	100 MHz
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Nexperia
Courant de collecteur continu :	- 100 mA
Collecteur de courant continu/Gain hfe min de base:	220 at - 2 mA, - 5 V
Gain de courant CC hFE max.:	475 at - 2 mA, - 5 V
Type de produit:	BJTs - Bipolar Transistors
Nombre de pièces de l'usine:	5000
Sous-catégorie:	Transistors
Raccourcis pour l'article N°:	934662663147

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Fiche technique

BC856BQBZ Fiche technique (PDF)

Codes de conformité

TARIC:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Malaisie
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

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