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PBSS4140DPN-QF

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N° Mouser :

771-PBSS4140DPN-QF

N° de fab. :

PBSS4140DPN-QF

Fab. :

Nexperia

Description :

Transistors bipolaires - BJT The factory is currently not accepting orders for this product.

Fiche technique:

PBSS4140DPN-QF Fiche technique (PDF)

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Fabricant:	Nexperia
Catégorie du produit:	Transistors bipolaires - BJT
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	SC-74-6
Polarité du transistor:	NPN, PNP
Configuration:	Dual
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.:	40 V
Collecteur - Tension de base VCBO:	40 V
Émetteur - Tension de base VEBO:	5 V
Tension de saturation collecteur-émetteur :	500 mV
Pd - Dissipation d’énergie :	370 mW
Produit gain-bande passante fT :	150 MHz
Température de fonctionnement min.:	- 65 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Qualification:	AEC-Q101
Conditionnement:	Reel
Marque:	Nexperia
Courant de collecteur continu :	1 A
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	MY
Collecteur de courant continu/Gain hfe min de base:	300 at 1 mA, 5 V
Type de produit:	BJTs - Bipolar Transistors
Nombre de pièces de l'usine:	10000
Sous-catégorie:	Transistors
Raccourcis pour l'article N°:	934664707135

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TARIC:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

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PBSS4140DPN-QF

Fab. : Nexperia

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