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PBSS4230T,215

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N° Mouser :

771-PBSS4230T215

N° de fab. :

PBSS4230T,215

Fab. :

Nexperia

Description :

Transistors bipolaires - BJT The factory is currently not accepting orders for this product.

Fiche technique:

PBSS4230T,215 Fiche technique (PDF)

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Nexperia
Catégorie du produit:	Transistors bipolaires - BJT
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	SOT-23-3
Polarité du transistor:	NPN
Configuration:	Single
Courant CC max. du collecteur:	2 A
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.:	30 V
Collecteur - Tension de base VCBO:	40 V
Émetteur - Tension de base VEBO:	5 V
Tension de saturation collecteur-émetteur :	240 mV
Pd - Dissipation d’énergie :	300 mW
Produit gain-bande passante fT :	230 MHz
Température de fonctionnement min.:	- 65 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Nexperia
Courant de collecteur continu :	2 A
Collecteur de courant continu/Gain hfe min de base:	300
Gain de courant CC hFE max.:	350 at 100 mA, 2 V
Type de produit:	BJTs - Bipolar Transistors
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Raccourcis pour l'article N°:	934057986215
Poids de l''unité:	8 mg

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Fiche technique

PBSS4230T,215 Fiche technique (PDF)

Application Notes

Thermal behavior of small-signal discretes on multilayer PCBs (v.1.0) (PDF)

PCN

Codes de conformité

TARIC:: 8541210000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210075
JPHTS:: 8541210101
KRHTS:: 8541219000
MXHTS:: 85412101
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Malaisie
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

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