Passer au contenu principal

+33 5 55 85 79 96

Membre du groupe de spécialistes TTI Contacter Mouser (Brive) +33 5 55 85 79 96 Commentaires

Changer de pays

En stock

RoHS

Connexion
Nouveau client ? Démarrer ici
Connexion
Nouveau client ? Démarrer ici

Historique des commandes

Fab.	N° de fab. :	Quantité	Total ext.

Il semble que vous ayez désactivé JavaScript dans votre navigateur. Certaines fonctions sur cette page ne fonctionneront pas à moins que vous vous connectiez.

Vous voyez une erreur ?

PBSS5230PAP-QX

Nexperia

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

771-PBSS5230PAP-QX

N° de fab. :

PBSS5230PAP-QX

Fab. :

Nexperia

Description :

Transistors bipolaires - BJT SOT1118/HUSON6 PNP/PNP TRANS

Cycle de vie:

Nouveau produit:

Nouveau chez ce fabricant.

Fiche technique:

PBSS5230PAP-QX Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

Disponibilité

Stock:: Pas en stock, appelez-nous pour demander un devis

Une erreur inattendue est survenue. Veuillez réessayer ultérieurement.

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Nexperia
Catégorie du produit:	Transistors bipolaires - BJT
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	DFN2020-6
Polarité du transistor:	PNP
Configuration:	Dual
Courant CC max. du collecteur:	3 A
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.:	30 V
Collecteur - Tension de base VCBO:	30 V
Émetteur - Tension de base VEBO:	7 V
Tension de saturation collecteur-émetteur :	295 mV
Pd - Dissipation d’énergie :	2 W
Produit gain-bande passante fT :	95 MHz
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	Nexperia
Courant de collecteur continu :	0 A
Collecteur de courant continu/Gain hfe min de base:	100
Gain de courant CC hFE max.:	370
Type de produit:	BJTs - Bipolar Transistors
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Raccourcis pour l'article N°:	934669168115

Produits trouvés:

Pour consulter des produits similaires, sélectionnez au moins une case.

Sélectionnez au moins une case pour consulter des produits similaires dans cette catégorie.

Attributs sélectionnés: 0

Filtrer les documents:

Fiche technique

PBSS5230PAP-QX Fiche technique (PDF)

Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Malaisie
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

PRODUITS PRÉSENTÉS

NEXPERIA

Carte Transistors à jonction bipolaire MJPEx (BJT))

Le boîtier CFP15B offre une alternative compacte et économique à la série MJD dans le boîtier DPAK.

Transistors PNP de puissance moyenne 1 A BC5xPAS-Q

Transistors PNP qualifiés AEC-Q101 dans un boîtier plastique CMS DFN2020D-3 (SOT1061D) ultra-mince.

Transistors de puissance BC869-Q

Transistors de puissance moyenne PNP dans un boîtier SOT89 (SC-62) de puissance moyenne et plastique à broches plates.

Transistors PBSSxx50PAS/PBSSxx50PAS-Q

Provides low collector-emitter saturation voltage and high collector current capability.

transistor bipolaire à signal faible en boîtier DFN

Répond à la demande croissante de fonctions électroniques des véhicules.