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PBSS5350T-QR

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N° Mouser :

771-PBSS5350T-QR

N° de fab. :

PBSS5350T-QR

Fab. :

Nexperia

Description :

Transistors bipolaires - BJT The factory is currently not accepting orders for this product.

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PBSS5350T-QR Fiche technique (PDF)

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Nexperia
Catégorie du produit:	Transistors bipolaires - BJT
RoHS:
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	SOT23-3
Polarité du transistor:	PNP
Configuration:	Single
Courant CC max. du collecteur:	2 A
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.:	50 V
Collecteur - Tension de base VCBO:	50 V
Émetteur - Tension de base VEBO:	5 V
Tension de saturation collecteur-émetteur :	390 mV
Pd - Dissipation d’énergie :	1.2 W
Produit gain-bande passante fT :	100 MHz
Température de fonctionnement min.:	- 65 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Qualification:	AEC-Q101
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Nexperia
Courant de collecteur continu :	2 A
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	MY
Collecteur de courant continu/Gain hfe min de base:	80
Type de produit:	BJTs - Bipolar Transistors
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Raccourcis pour l'article N°:	934663812215

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

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