PIMZ2,115

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N° Mouser :

771-PIMZ2115

N° de fab. :

PIMZ2,115

Fab. :

Nexperia

Description :

Transistors bipolaires - BJT The factory is currently not accepting orders for this product.

Fiche technique:

PIMZ2,115 Fiche technique (PDF)

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Fabricant:	Nexperia
Catégorie du produit:	Transistors bipolaires - BJT
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	TSOP-6
Polarité du transistor:	NPN, PNP
Configuration:	Dual
Courant CC max. du collecteur:	150 mA
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.:	50 V
Collecteur - Tension de base VCBO:	60 V
Émetteur - Tension de base VEBO:	7 V
Pd - Dissipation d’énergie :	300 mW
Produit gain-bande passante fT :	100 MHz, 190 MHz
Température de fonctionnement min.:	- 65 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Conditionnement:	Reel
Marque:	Nexperia
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	MY
Gain de courant CC hFE max.:	120 at 1 mA, 6 V
Type de produit:	BJTs - Bipolar Transistors
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Raccourcis pour l'article N°:	934057906115
Poids de l''unité:	11 mg

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PCN

TARIC:: 8541210000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210075
JPHTS:: 8541210101
KRHTS:: 8541219000
MXHTS:: 85412101
ECCN:: EAR99

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