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PMDPB30XNAX

Name: Nexperia PMDPB30XNAX
Brand: Nexperia
SKU: 771-PMDPB30XNAX
Price: 1.03 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

771-PMDPB30XNAX

N° de fab. :

PMDPB30XNAX

Fab. :

Nexperia

Description :

MOSFET SOT1118 NCH 20V 4.5A

Fiche technique:

PMDPB30XNAX Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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	0,714 €	7,14 €
	0,452 €	45,20 €
	0,28 €	140,00 €
	0,206 €	206,00 €
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	0,183 €	549,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Nexperia
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	DFN-2020-6
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	2 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	20 V
Id - Courant continu de fuite:	4.5 A
Rds On - Résistance drain-source:	34 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 10 V, 10 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	900 mV
Qg - Charge de grille:	6.6 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	1.2 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	Nexperia
Configuration:	Dual
Temps de descente:	25 ns
Transconductance directe - min.:	8 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	2.3 ns
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	10 ns
Délai d'activation standard:	6.5 ns
Raccourcis pour l'article N°:	934667308115

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Fiche technique

PMDPB30XNAX Fiche technique (PDF)

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Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Malaisie
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

Automotive MOSFETs

Nexperia Automotive MOSFETs comprise a range of AEC-Q101-qualified devices that meet the stringent standards set by the automotive industry. These Nexperia automotive devices are designed for an operating environment far more hostile than power MOSFETs used in home and portable applications and are suitable for thermally demanding environments due to a +175°C rating.