PMGD290UCEAX

Nexperia
771-PMGD290UCEAX
PMGD290UCEAX

Fab. :

Description :
MOSFET SOT363 NPCH 20V .725A

Modèle de ECAO:
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En stock: 20 803

Stock:
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Délai usine :
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Long délai signalé sur ce produit.
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:
Conditionnement:
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™
0,413 € 0,41 €
0,252 € 2,52 €
0,16 € 16,00 €
0,12 € 60,00 €
0,107 € 107,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
0,089 € 267,00 €
0,081 € 486,00 €
0,069 € 621,00 €
0,064 € 1 536,00 €
† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées.

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
Nexperia
Catégorie du produit: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
TSSOP-6
N-Channel, P-Channel
2 Channel
20 V
500 mA, 725 mA
380 Ohms, 850 mOhms
- 8 V, 8 V
500 mV
450 pC, 760 pC
- 55 C
+ 150 C
500 mW
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marque: Nexperia
Configuration: Dual
Temps de descente: 31 ns, 72 ns
Transconductance directe - min.: 1.6 S, 610 mS
Type de produit: MOSFETs
Temps de montée: 4 ns, 30 ns
Nombre de pièces de l'usine: 3000
Sous-catégorie: Transistors
Type de transistor: 1 N-Channel, 1 P-Channel
Délai de désactivation type: 86 ns, 80 ns
Délai d'activation standard: 6 ns, 18 ns
Raccourcis pour l'article N°: 934067604115
Poids de l''unité: 7,500 mg
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Attributs sélectionnés: 0

Codes de conformité
TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541210000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541210095
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99
Classifications d’origine
Pays d'origine:
Malaisie
Pays d'origine de l'assemblage:
Non disponible
Pays de diffusion:
Non disponible
Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

Automotive MOSFETs

Nexperia Automotive MOSFETs comprise a range of AEC-Q101-qualified devices that meet the stringent standards set by the automotive industry. These Nexperia automotive devices are designed for an operating environment far more hostile than power MOSFETs used in home and portable applications and are suitable for thermally demanding environments due to a +175°C rating.