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PMN40SNAH

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N° Mouser :

771-PMN40SNAH

N° de fab. :

PMN40SNAH

Fab. :

Nexperia

Description :

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Cycle de vie:

Nouveau chez Mouser

Fiche technique:

PMN40SNAH Fiche technique (PDF)

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Nexperia
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	TSOP-6
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	60 V
Id - Courant continu de fuite:	4.7 A
Rds On - Résistance drain-source:	36 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4 V
Qg - Charge de grille:	9 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	1.7 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	Nexperia
Configuration:	Single
Temps de descente:	5 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	7 ns
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	11 ns
Délai d'activation standard:	6 ns
Raccourcis pour l'article N°:	934661388125

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Fiche technique

PMN40SNAH Fiche technique (PDF)

TARIC:: 8541290000

PRODUITS PRÉSENTÉS

NEXPERIA

MOSFET canal N BUK7Q dans boîtier MLPAK33-WF

Utilise la technologie Trench 9, répond aux exigences AEC-Q101.

MOSFET à tranchée et canal N BUK9Q

Compatible aux niveaux logiques, commutation rapide et entièrement homologuée pour l'automobile selon la norme AEC-Q101 à 175 °C.

MOSFET BUK6Q66-60PJ

FET à canal P dans un boîtier plastique CMS MLPAK33 (SOT8002-3) utilisant la technologie MOSFET Trench.

MOSFET BUK6Q8R2-30PJ

FET à canal P dans un boîtier plastique CMS MLPAK33 (SOT8002-3) utilisant la technologie MOSFET Trench.

MOSFET BUK6Q12-40PJ

FET à canal P dans un boîtier plastique CMS MLPAK33 (SOT8002-3) utilisant la technologie MOSFET à tranchée.

PMN40SNAH

Fab. : Nexperia

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