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PMXB65UPEZ

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N° Mouser :

771-PMXB65UPEZ

N° de fab. :

PMXB65UPEZ

Fab. :

Nexperia

Description :

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Fiche technique:

PMXB65UPEZ Fiche technique (PDF)

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Nexperia
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	DFN-1010-3
Polarité du transistor:	P-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	12 V
Id - Courant continu de fuite:	3.2 A
Rds On - Résistance drain-source:	59 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 8 V, 8 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	1 V
Qg - Charge de grille:	12 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	1.07 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Nexperia
Configuration:	Single
Temps de descente:	17 ns
Transconductance directe - min.:	9.4 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	22 ns
Nombre de pièces de l'usine:	5000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 P-Channel
Délai de désactivation type:	27 ns
Délai d'activation standard:	6.2 ns
Raccourcis pour l'article N°:	934067151147
Poids de l''unité:	1,280 mg

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Codes de conformité

TARIC:: 8541210000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541210101
KRHTS:: 8541219000
MXHTS:: 85412101
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Malaisie
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

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PMXB65UPEZ

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