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PSMN1R2-80ASEJ

Name: Nexperia PSMN1R2-80ASEJ
Brand: Nexperia
SKU: 771-PSMN1R2-80ASEJ
Price: 6.91 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

771-PSMN1R2-80ASEJ

N° de fab. :

PSMN1R2-80ASEJ

Fab. :

Nexperia

Description :

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Cycle de vie:

Nouveau produit:

Nouveau chez ce fabricant.

Fiche technique:

PSMN1R2-80ASEJ Fiche technique (PDF)

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	4,70 €	47,00 €
	3,64 €	364,00 €
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	3,64 €	3 640,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Nexperia
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	CCPAK1212
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	80 V
Id - Courant continu de fuite:	375 A
Rds On - Résistance drain-source:	1.18 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3.6 V
Qg - Charge de grille:	233 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	935 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	Nexperia
Configuration:	Single
Temps de descente:	70 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	57 ns
Nombre de pièces de l'usine:	1000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	133 ns
Délai d'activation standard:	67 ns
Raccourcis pour l'article N°:	934666614118 934670000000

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Filtrer les documents:

Fiche technique

PSMN1R2-80ASEJ Fiche technique (PDF)

Errata

Package Tolerance Update for MOS CCPAK1212/i (A2 Max) (PDF)

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Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Philippines
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

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