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PSMN1R8-30PL,127

Name: Nexperia PSMN1R8-30PL,127
Brand: Nexperia
SKU: 771-PSMN1R830PL127
Price: 3.78 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

771-PSMN1R830PL127

N° de fab. :

PSMN1R8-30PL,127

Fab. :

Nexperia

Description :

MOSFET PSMN1R8-30PL/SOT78/SIL3P

Cycle de vie:

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Fiche technique:

PSMN1R8-30PL,127 Fiche technique (PDF)

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Nexperia
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-220-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	30 V
Id - Courant continu de fuite:	100 A
Rds On - Résistance drain-source:	1.8 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	1.3 V
Qg - Charge de grille:	170 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	270 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Tube
Marque:	Nexperia
Type de produit:	MOSFETs
Nombre de pièces de l'usine:	50
Sous-catégorie:	Transistors
Raccourcis pour l'article N°:	934064002127
Poids de l''unité:	2 g

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Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Philippines
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

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FET à canal P dans un boîtier plastique CMS MLPAK33 (SOT8002-3) utilisant la technologie MOSFET à tranchée.

PSMN1R8-30PL,127

Fab. : Nexperia

Description : MOSFET PSMN1R8-30PL/SOT78/SIL3P

En stock: 4 574

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Nexperia

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MOSFET PSMN1R8-30PL/SOT78/SIL3P

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