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PSMN2R0-30BL,118

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N° Mouser :

771-PSMN2R0-30BL,118

N° de fab. :

PSMN2R0-30BL,118

Fab. :

Nexperia

Description :

MOSFET Std N-chanMOSFET

Cycle de vie:

Fin de vie:

Ce produit va devenir obsolète et ne sera plus disponible chez le fabricant.

Fiche technique:

PSMN2R0-30BL,118 Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Nexperia
Catégorie du produit:	MOSFET
Restrictions en matière d'expédition :	Mouser ne vend pas actuellement ce produit dans votre région.
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	D2PAK-3 (TO-263-3)
Vds - Tension de rupture drain-source:	30 V
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Nexperia
Type de produit:	MOSFETs
Nombre de pièces de l'usine:	800
Sous-catégorie:	Transistors
Raccourcis pour l'article N°:	934066341118
Poids de l''unité:	4 g

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Fiche technique

PSMN2R0-30BL,118 Fiche technique (PDF)

Application Notes

Power MOSFET Single-Shot and Repetitive Avalanche Ruggedness Rating - June 20, 2022 (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541210101
KRHTS:: 8541219000
MXHTS:: 85412101
ECCN:: EAR99

Nexperia PSMNxxx N-Channel MOSFETs - EXPANSION - INACTIVE

Nexperia PSMNxxx N-Channel MOSFETs have been expanded by adding additional drain current (I_D), drain-source on-state resistance (R_DS(on)), gate-drain charge (Q_GD), and total power dissipation (P_tot) ratings. All of these packages are qualified with a junction temperature up to 175ºC. They are designed and qualified for use in a wide range of industrial, communications, and domestic equipment. They are highly efficient due to low switching and conduction losses and are suitable for standard level gate drive sources. Some of these are optimized for 4.5V gate drive utilizing NextPower Superjunction technology and have ultra-low Q_G, Q_GD and Q_OSS for high system efficiencies at low and high loads. Typical applications for these devices include dc-to-dc converters, load switching, motor control, synchronous buck regulators, and server power supplies.
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Nexperia PSMNxxx N-Channel MOSFETs include standard and logic level, regular and enhancement mode, N-Channel MOSFETs in LFPAK, I2PAK, TO-220, and DFN3333-8 packages qualified to 150°C or 175°C. These Nexperia PSMNxxx N-Channel MOSFETs are designed and qualified for use in a wide range of industrial, communications, and domestic equipment. The Nexperia logic level enhancement mode N-Channel MOSFETs in LFPAK packages feature ultra low Q_G, Q_GD, and Q_OSS for high system efficiencies at low and high loads, and ultra low R_DSon and low parasitic inductance. They are also optimized for 4.5V gate drive utilising NextPower Superjunction technology. The Nexperia standard and logic level N-Channel MOSFETs in I2PAK and TO-220 packages feature high efficiency due to low switching and conduction losses and are suitable for standard or logic level gate drive sources.

View the entire PSMNxxx Series N-Channel MOSFETs