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PXN7R7-25QLJ

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N° Mouser :

771-PXN7R7-25QLJ

N° de fab. :

PXN7R7-25QLJ

Fab. :

Nexperia

Description :

MOSFET SOT8002 N-CH 25V 11.8A

Fiche technique:

PXN7R7-25QLJ Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Nexperia
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	SOT8002-1-8
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	25 V
Id - Courant continu de fuite:	19 A
Rds On - Résistance drain-source:	11.1 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 25 V, 25 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.2 V
Qg - Charge de grille:	16.6 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	4.3 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Nexperia
Configuration:	Single
Temps de descente:	3 ns
Transconductance directe - min.:	25 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	8 ns
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Délai de désactivation type:	6 ns
Délai d'activation standard:	5 ns
Raccourcis pour l'article N°:	934661599118

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Fiche technique

PXN7R7-25QLJ Fiche technique (PDF)

Application Notes

Power MOSFET Single-Shot and Repetitive Avalanche Ruggedness Rating - June 20, 2022 (PDF)

Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Malaisie
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

MOSFET MLPAK33

Les MOSFET MLPAK33 de Nexperia offrent une tension grille-source maximale de 20 V et une résistance drain-source à l’état passant pouvant atteindre 275 mΩ. Ces MOSFET sont fournis en boîtier MLPAK33 et sont répartis en deux séries : PXN et PXP. Les MOSFET à tranchée et canal N PXN sont compatibles au niveau logique et disposent de la technologie MOSFET à tranchée, de Q_G et Q_GD ultra-faibles pour un haut rendement du système et une commutation ultra-rapide avec recouvrement progressif. Les MOSFET à tranchée et canal P PXP offrent un profil mince de 0,8 mm et une faible résistance thermique. Les MOSFET MLPAK33 de Nexperia ont une plage de température ambiante de -55 °C à +150 °C.