PCDD0465G1_L2_00001

Panjit
241-PCDD0465G1L20001
PCDD0465G1_L2_00001

Fab. :

Description :
Diodes Schottky SiC 650V SiC Schottky Barrier Diode

Fiche technique:
Modèle de ECAO:
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En stock: 2 360

Stock:
2 360 Expédition possible immédiatement
Délai usine :
18 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.
Les quantités supérieures à 2360 seront soumises à des commandes minimales.
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:
Conditionnement:
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ †
2,16 € 2,16 €
1,38 € 13,80 €
0,946 € 94,60 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
0,946 € 2 838,00 €
† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
Panjit
Catégorie du produit: Diodes Schottky SiC
RoHS:  
SMD/SMT
TO-252AA-3
Single
4 A
650 V
1.5 V
280 A
2 uA
- 55 C
+ 175 C
SiC Gen.1
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marque: Panjit
Pays d’assemblage: Not Available
Pays de diffusion: Not Available
Pays d'origine: CN
Pd - Dissipation d’énergie : 46 W
Type de produit: SiC Schottky Diodes
Nombre de pièces de l'usine: 3000
Sous-catégorie: Diodes & Rectifiers
Poids de l''unité: 321,700 mg
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Attributs sélectionnés: 0

Fiche technique

PCN

Product Catalogs

USHTS:
8541100080
ECCN:
EAR99

SiC Schottky Barrier Diodes

PANJIT SiC Schottky Barrier Diodes provide zero reverse recovery current, low forward voltage drop, and temperature-independent switching behavior. The devices have a high surge current capability, and excellent thermal performance. Silicon carbide technology provides lower conduction losses. The diodes can deliver stability and high ruggedness throughout -55°C to +175°C operating temperature range.

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