PCDD0465G1_L2_00001

Panjit
241-PCDD0465G1L20001
PCDD0465G1_L2_00001

Fab. :

Description :
Diodes Schottky SiC 650V SiC Schottky Barrier Diode

Modèle de ECAO:
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En stock: 2 360

Stock:
2 360 Expédition possible immédiatement
Délai usine :
18 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.
Les quantités supérieures à 2360 seront soumises à des commandes minimales.
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:
Conditionnement:
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™
2,16 € 2,16 €
1,38 € 13,80 €
0,946 € 94,60 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
0,946 € 2 838,00 €
† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées.

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
Panjit
Catégorie du produit: Diodes Schottky SiC
RoHS:  
SMD/SMT
TO-252AA-3
Single
4 A
650 V
1.5 V
280 A
2 uA
- 55 C
+ 175 C
SiC Gen.1
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marque: Panjit
Pd - Dissipation d’énergie : 46 W
Type de produit: SiC Schottky Diodes
Nombre de pièces de l'usine: 3000
Sous-catégorie: Diodes & Rectifiers
Poids de l''unité: 321,700 mg
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Attributs sélectionnés: 0

Codes de conformité
USHTS:
8541100080
ECCN:
EAR99
Classifications d’origine
Pays d'origine:
Chine
Pays d'origine de l'assemblage:
Non disponible
Pays de diffusion:
Non disponible
Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

SiC Schottky Barrier Diodes

PANJIT SiC Schottky Barrier Diodes provide zero reverse recovery current, low forward voltage drop, and temperature-independent switching behavior. The devices have a high surge current capability, and excellent thermal performance. Silicon carbide technology provides lower conduction losses. The diodes can deliver stability and high ruggedness throughout -55°C to +175°C operating temperature range.