PCDD08120G1_L2_00001

Panjit
241-PCDD08120G1L2001
PCDD08120G1_L2_00001

Fab. :

Description :
Diodes Schottky SiC 1200V SiC Schottky Barrier Diode

Fiche technique:
Modèle de ECAO:
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En stock: 1 797

Stock:
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Délai usine :
18 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:
Conditionnement:
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ †
4,97 € 4,97 €
3,33 € 33,30 €
2,95 € 295,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
2,95 € 8 850,00 €
† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
Panjit
Catégorie du produit: Diodes Schottky SiC
RoHS:  
SMD/SMT
TO-252AA-3
Single
8 A
1.2 kV
1.5 V
560 A
6 uA
- 55 C
+ 175 C
SiC Gen.1
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marque: Panjit
Pd - Dissipation d’énergie : 156.3 W
Type de produit: SiC Schottky Diodes
Nombre de pièces de l'usine: 3000
Sous-catégorie: Diodes & Rectifiers
Poids de l''unité: 321,700 mg
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Attributs sélectionnés: 0

Fiche technique

PCN

Product Catalogs

TARIC:
8541100000
CNHTS:
8541100000
USHTS:
8541100080
ECCN:
EAR99

SiC Schottky Barrier Diodes

PANJIT SiC Schottky Barrier Diodes provide zero reverse recovery current, low forward voltage drop, and temperature-independent switching behavior. The devices have a high surge current capability, and excellent thermal performance. Silicon carbide technology provides lower conduction losses. The diodes can deliver stability and high ruggedness throughout -55°C to +175°C operating temperature range.

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