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PCDD08120G1_L2_00001

Name: Panjit PCDD08120G1_L2_00001
Brand: Panjit
SKU: 241-PCDD08120G1L2001
Price: 5.37 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

241-PCDD08120G1L2001

N° de fab. :

PCDD08120G1_L2_00001

Fab. :

Panjit

Description :

Diodes Schottky SiC 1200V SiC Schottky Barrier Diode

Fiche technique:

PCDD08120G1_L2_00001 Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	5,37 €	5,37 €
	3,59 €	35,90 €
	3,24 €	324,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	3,24 €	9 720,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Panjit
Catégorie du produit:	Diodes Schottky SiC
RoHS:
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	TO-252AA-3
Configuration:	Single
If - Courant direct:	8 A
Vrrm - Tension inverse répétitive:	1.2 kV
Vf - Tension directe:	1.5 V
Ifsm - Courant de surtension direct:	560 A
Ir - Courant inverse:	6 uA
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Série:	SiC Gen.1
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Panjit
Pd - Dissipation d’énergie :	156.3 W
Type de produit:	SiC Schottky Diodes
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Diodes & Rectifiers
Poids de l''unité:	321,700 mg

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Codes de conformité

TARIC:: 8541100000
CNHTS:: 8541100000
USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Chine
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

SiC Schottky Barrier Diodes

PANJIT SiC Schottky Barrier Diodes provide zero reverse recovery current, low forward voltage drop, and temperature-independent switching behavior. The devices have a high surge current capability, and excellent thermal performance. Silicon carbide technology provides lower conduction losses. The diodes can deliver stability and high ruggedness throughout -55°C to +175°C operating temperature range.