PCDF0665G1_T0_00601

Panjit
241-PCDF0665G1T00601
PCDF0665G1_T0_00601

Fab. :

Description :
Diodes Schottky SiC 650V/6A Through Hole Silicon Carbide Schottky Barrier Diode

Fiche technique:
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Minimum : 1   Multiples : 1
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Ext. Prix:
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Tarif est.:

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1,91 € 19,10 €

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
Panjit
Catégorie du produit: Diodes Schottky SiC
RoHS:  
Through Hole
ITO-220AC-2
Single
6 A
650 V
1.5 V
320 A
2 uA
- 55 C
+ 175 C
Tube
Marque: Panjit
Pd - Dissipation d’énergie : 70.8 W
Type de produit: SiC Schottky Diodes
Nombre de pièces de l'usine: 50
Sous-catégorie: Diodes & Rectifiers
Vr - Tension inverse: 650 V
Poids de l''unité: 1,562 g
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Attributs sélectionnés: 0

Fiche technique

Codes de conformité
TARIC:
8541100000
CAHTS:
8541100090
USHTS:
8541100080
ECCN:
EAR99
Classifications d’origine
Pays d'origine:
Chine
Pays d'origine de l'assemblage:
Non disponible
Pays de diffusion:
Non disponible
Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

SiC Schottky Barrier Diodes

PANJIT SiC Schottky Barrier Diodes provide zero reverse recovery current, low forward voltage drop, and temperature-independent switching behavior. The devices have a high surge current capability, and excellent thermal performance. Silicon carbide technology provides lower conduction losses. The diodes can deliver stability and high ruggedness throughout -55°C to +175°C operating temperature range.

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