PCDP1665GC_T0_00601

Panjit
241-PCDP1665GCT00601
PCDP1665GC_T0_00601

Fab. :

Description :
Diodes Schottky SiC 650V SiC Schottky Barrier Diode

Modèle de ECAO:
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Disponibilité

Stock:
Non stocké
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Panjit
Catégorie du produit: Diodes Schottky SiC
RoHS:  
Through Hole
TO-220AC-2
Single
16 A
650 V
1.5 V
584 A
500 nA
- 55 C
+ 175 C
Tube
Marque: Panjit
Pd - Dissipation d’énergie : 149.2 W
Type de produit: SiC Schottky Diodes
Nombre de pièces de l'usine: 50
Sous-catégorie: Diodes & Rectifiers
Vr - Tension inverse: 650 V
Poids de l''unité: 1,890 g
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Attributs sélectionnés: 0

Codes de conformité
TARIC:
8541100000
CAHTS:
8541100090
USHTS:
8541100080
ECCN:
EAR99
Classifications d’origine
Pays d'origine:
Chine
Pays d'origine de l'assemblage:
Non disponible
Pays de diffusion:
Non disponible
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SiC Schottky Barrier Diodes

PANJIT SiC Schottky Barrier Diodes provide zero reverse recovery current, low forward voltage drop, and temperature-independent switching behavior. The devices have a high surge current capability, and excellent thermal performance. Silicon carbide technology provides lower conduction losses. The diodes can deliver stability and high ruggedness throughout -55°C to +175°C operating temperature range.