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PJA3413_R2_00001

Name: Panjit PJA3413_R2_00001
Brand: Panjit
SKU: 241-PJA3413_R2_00001
Price: 0.06 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

241-PJA3413_R2_00001

N° de fab. :

PJA3413_R2_00001

Fab. :

Panjit

Description :

MOSFET 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Fiche technique:

PJA3413_R2_00001 Fiche technique (PDF)

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Panjit

N° de fab. :

PJA3413_R1_00001

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MOSFET 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Panjit
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	SOT-23-3
Polarité du transistor:	P-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	20 V
Id - Courant continu de fuite:	3.4 A
Rds On - Résistance drain-source:	82 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 12 V, 12 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	1.2 V
Qg - Charge de grille:	7 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	1.25 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Marque:	Panjit
Configuration:	Single
Temps de descente:	5 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	4 ns
Nombre de pièces de l'usine:	12000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 P-Channel
Délai de désactivation type:	34 ns
Délai d'activation standard:	10 ns
Poids de l''unité:	8 mg

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Fiche technique

PJA3413_R2_00001 Fiche technique (PDF)

Application Notes

Understanding Medium Voltage and Super Junction MOSFET Datasheet Parameters (PDF)

PCN

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Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Taïwan
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

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PANJIT Power MOSFETs for Wireless Charging Transmitters provide an advanced solution for the wireless chargers to work properly and efficiently. These wireless charging transmitters are designed to transfer the electromagnetic field to the battery receiver of its application. The power MOSFETs are assembled in a low-profile package that saves space while delivering similar on-resistance and thermal resistance. These devices feature low switching losses, high switching frequency operation, low operating temperature, and low gate drive losses. The power MOSFETs are ideally used in wireless charging pads, wireless charging sockets, wireless charging cases, and wireless charging stations.