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PJQ4526P_R2_00201

Name: Panjit PJQ4526P_R2_00201
Brand: Panjit
SKU: 241-PJQ4526PR200201
Price: 0.2 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

241-PJQ4526PR200201

N° de fab. :

PJQ4526P_R2_00201

Fab. :

Panjit

Description :

MOSFET 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET

Fiche technique:

PJQ4526P_R2_00201 Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Fabricant:	Panjit
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	DFN-3333-8
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	30 V
Id - Courant continu de fuite:	62 A
Rds On - Résistance drain-source:	5.5 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.5 V
Qg - Charge de grille:	15 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	31.3 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Marque:	Panjit
Configuration:	Single
Temps de descente:	23 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	8 ns
Nombre de pièces de l'usine:	5000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	24 ns
Délai d'activation standard:	13 ns
Raccourcis pour l'article N°:	PJQ4526P
Poids de l''unité:	30,495 mg

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Fiche technique

PJQ4526P_R2_00201 Fiche technique (PDF)

Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Chine
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

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