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PJS6413_S1_00001

Name: Panjit PJS6413_S1_00001
Brand: Panjit
SKU: 241-PJS6413_S1_00001
Price: 0.34 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

241-PJS6413_S1_00001

N° de fab. :

PJS6413_S1_00001

Fab. :

Panjit

Description :

MOSFET 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Fiche technique:

PJS6413_S1_00001 Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	0,344 €	0,34 €
	0,209 €	2,09 €
	0,132 €	13,20 €
	0,098 €	49,00 €
	0,088 €	88,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	0,083 €	249,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Panjit
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Vds - Tension de rupture drain-source:	20 V
Id - Courant continu de fuite:	4.4 A
Rds On - Résistance drain-source:	82 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 12 V, 12 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	1.2 V
Qg - Charge de grille:	7 nC
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Panjit
Type de produit:	MOSFETs
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Poids de l''unité:	14,194 mg

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Attributs sélectionnés: 0

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Fiche technique

PJS6413_S1_00001 Fiche technique (PDF)

Application Notes

Understanding Medium Voltage and Super Junction MOSFET Datasheet Parameters (PDF)

PCN

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Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Taïwan
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

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PANJIT Power MOSFETs for Wireless Charging Transmitters provide an advanced solution for the wireless chargers to work properly and efficiently. These wireless charging transmitters are designed to transfer the electromagnetic field to the battery receiver of its application. The power MOSFETs are assembled in a low-profile package that saves space while delivering similar on-resistance and thermal resistance. These devices feature low switching losses, high switching frequency operation, low operating temperature, and low gate drive losses. The power MOSFETs are ideally used in wireless charging pads, wireless charging sockets, wireless charging cases, and wireless charging stations.