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PJX8806_R1_00001

Name: Panjit PJX8806_R1_00001
Brand: Panjit
SKU: 241-PJX8806_R1_00001
Price: 0.08 EUR
Availability: Discontinued

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N° Mouser :

241-PJX8806_R1_00001

N° de fab. :

PJX8806_R1_00001

Fab. :

Panjit

Description :

MOSFET 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected

Cycle de vie:

NRND:

Non recommandé pour de nouvelles conceptions.

Fiche technique:

PJX8806_R1_00001 Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Panjit
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	SOT-563-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	2 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	20 V
Id - Courant continu de fuite:	800 mA
Rds On - Résistance drain-source:	700 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 12 V, 12 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	1 V
Qg - Charge de grille:	920 pC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	350 mW
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Marque:	Panjit
Configuration:	Dual
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	TW
Temps de descente:	25 ns
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	20 ns
Série:	NFET-20TEMN
Nombre de pièces de l'usine:	4000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	2 N-Channel
Délai de désactivation type:	12 ns
Délai d'activation standard:	4 ns
Poids de l''unité:	2,606 mg