QPD1028LEVB7

Qorvo
772-QPD1028LEVB7
QPD1028LEVB7

Fab. :

Description :
Outils de développement RF 750W, 65V, Pre-matched, 1.2-1.4GHz, Flan

Produit disponible uniquement pour les professionnels (FEO/EMS) et les clients du secteur de la conception. Ce produit n'est pas expédié aux particuliers situés dans l'Union européenne ou au Royaume-Uni.

Disponibilité

Stock:
Non stocké
Délai usine :
16 Semaines Délai de production estimé en usine.
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:
Ce produit est expédié GRATUITEMENT

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
1 017,64 € 1 017,64 €

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
Qorvo
Catégorie du produit: Outils de développement RF
Restrictions en matière d'expédition :
 Produit disponible uniquement pour les professionnels (FEO/EMS) et les clients du secteur de la conception. Ce produit n'est pas expédié aux particuliers situés dans l'Union européenne ou au Royaume-Uni.
Marque: Qorvo
Conditionnement: Bulk
Type de produit: RF Development Tools
Série: QPD1028L
Nombre de pièces de l'usine: 1
Sous-catégorie: Development Tools
Produits trouvés:
Pour consulter des produits similaires, sélectionnez au moins une case.
Sélectionnez au moins une case pour consulter des produits similaires dans cette catégorie.
Attributs sélectionnés: 0

Codes de conformité
USHTS:
9030820000
ECCN:
EAR99
Classifications d’origine
Pays d'origine:
États-Unis
Pays d'origine de l'assemblage:
Non disponible
Pays de diffusion:
Non disponible
Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

Cartes d'évaluation pour QPD1028 et QPD1028L

Les cartes d'évaluation pour QPD1028 et QPD1028L de Qorvo sont des plateformes de démonstration et de développement pour les transistors 750 W QPD1028 et QPD1028L au GaN sur carbure de silicium (SiC). Les QPD1028 et QPD1028L sont des transistors discrets à grande mobilité d'électrons (HEMT) au nitrure de gallium sur carbure de silicium (SiC) qui fonctionnent entre 1,2 GHz et 1,4 GHz. Ces composants fournissent 59 dBm de puissance de sortie saturée, avec 18 dB de gain des signaux forts et 70 % de rendement de drain. Les transistors QPD1028 et QPD1028L sont préadaptés en interne pour améliorer leurs performances et peuvent fonctionner en mode onde entretenue (CW) comme en mode pulsé.