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MB85RS2MLYPNF-GS-AWERE2

Name: RAMXEED MB85RS2MLYPNF-GS-AWERE2
Brand: RAMXEED
SKU: 249-MB85S2MLYPFAWRE2
Price: 11.34 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

249-MB85S2MLYPFAWRE2

N° de fab. :

MB85RS2MLYPNF-GS-AWERE2

Fab. :

RAMXEED

Description :

F-RAM 2Mbit FeRAM, SPI, 1.7-1.95V - SOP8 T&R (AEC-Q100 125C)

Fiche technique:

MB85RS2MLYPNF-GS-AWERE2 Fiche technique (PDF)

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	RAMXEED
Catégorie du produit:	F-RAM
RoHS:
Taille de la mémoire:	2 Mbit
Type d'interface:	SPI
Fréquence de l'horloge max.:	50 MHz
Organisation:	256 k x 8
Package/Boîte:	SOP-8
Tension d’alimentation - Min.:	1.7 V
Tension d’alimentation - Max.:	1.95 V
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 125 C
Qualification:	AEC-Q100
Conditionnement:	Reel
Marque:	RAMXEED
Sensibles à l’humidité:	Yes
Style de montage:	SMD/SMT
Tension d'alimentation de fonctionnement:	1.8 V
Type de produit:	FRAM
Nombre de pièces de l'usine:	1500
Sous-catégorie:	Memory & Data Storage

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Fiche technique

MB85RS2MLYPNF-GS-AWERE2 Fiche technique (PDF)

Codes de conformité

USHTS:: 8542320000
ECCN:: 3A991.b.1.b.1

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Japon
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

AEC-Q100 Compliant SPI FeRAM Family

RAMXEED AEC-Q100 Compliant SPI Ferroelectric Random Access Memory (FeRAM) Family is a high‑reliability lineup of nonvolatile ferroelectric memories designed for demanding automotive and industrial environments. These devices operate across a wide temperature range of -40°C to +125°C, making the devices suitable for harsh conditions commonly found in vehicles and high‑temperature equipment. Built on FeRAM technology, these RAMXEED components combine the nonvolatility of traditional EEPROM or Flash with the speed and endurance of SRAM‑like memory cells, offering exceptionally high read/write endurance (up to 10¹⁴ cycles in many automotive‑grade SPI variants), and instant, delay‑free writes that support frequent data updates without performance degradation.