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MB85RS2MTYPNF-G-AWERE2

Name: RAMXEED MB85RS2MTYPNF-G-AWERE2
Brand: RAMXEED
SKU: 249-85S2MTYPNFGAWR2
Price: 13.37 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

249-85S2MTYPNFGAWR2

N° de fab. :

MB85RS2MTYPNF-G-AWERE2

Fab. :

RAMXEED

Description :

F-RAM 2Mbit FeRAM, SPI, 1.8-3.6V - SOP8 T&R (125C)

Fiche technique:

MB85RS2MTYPNF-G-AWERE2 Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 1500)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	13,37 €	13,37 €
	12,44 €	124,40 €
	12,06 €	301,50 €
	11,78 €	589,00 €
	11,50 €	1 150,00 €
	11,12 €	2 780,00 €
	10,84 €	5 420,00 €
	10,04 €	10 040,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 1500)
	10,04 €	15 060,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	RAMXEED
Catégorie du produit:	F-RAM
RoHS:
Taille de la mémoire:	2 Mbit
Type d'interface:	SPI
Fréquence de l'horloge max.:	50 MHz
Organisation:	256 k x 8
Package/Boîte:	SOP-8
Tension d’alimentation - Min.:	1.8 V
Tension d’alimentation - Max.:	3.6 V
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 125 C
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	RAMXEED
Sensibles à l’humidité:	Yes
Style de montage:	SMD/SMT
Tension d'alimentation de fonctionnement:	3.3 V
Type de produit:	FRAM
Nombre de pièces de l'usine:	1500
Sous-catégorie:	Memory & Data Storage

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Fiche technique

MB85RS2MTYPNF-G-AWERE2 Fiche technique (PDF)

Codes de conformité

CNHTS:: 8542329090
USHTS:: 8542320071
ECCN:: 3A991.b.1.b.1

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Japon
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

FRAM (Ferroelectric Random Access Memory)

RAMXEED FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory featuring fast writing speed operation, high read/write endurance, and low power consumption. These features make FRAM ideal for applications requiring continuous data logging, real-time recording of three-dimensional position information, and data protection from sudden power outages.

AEC-Q100 Compliant SPI FeRAM Family

RAMXEED AEC-Q100 Compliant SPI Ferroelectric Random Access Memory (FeRAM) Family is a high‑reliability lineup of nonvolatile ferroelectric memories designed for demanding automotive and industrial environments. These devices operate across a wide temperature range of -40°C to +125°C, making the devices suitable for harsh conditions commonly found in vehicles and high‑temperature equipment. Built on FeRAM technology, these RAMXEED components combine the nonvolatility of traditional EEPROM or Flash with the speed and endurance of SRAM‑like memory cells, offering exceptionally high read/write endurance (up to 10¹⁴ cycles in many automotive‑grade SPI variants), and instant, delay‑free writes that support frequent data updates without performance degradation.