MB85RS4MLYPF-G-BCERE1

RAMXEED
249-85S4MLYPFGBCERE1
MB85RS4MLYPF-G-BCERE1

Fab. :

Description :
F-RAM 4Mbit FeRAM, SPI, 1.7-1.95V - SOP8 (208mil) T&R (125C)

Fiche technique:
Modèle de ECAO:
Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.
Plus d'informations
En savoir plus à propos de RAMXEED MB85RS4MLYPF-G-BCERE1

Disponibilité

Stock:
Non stocké
Délai usine :
22 Semaines Délai de production estimé en usine.
Minimum : 500   Multiples : 500
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:
Ce produit est expédié GRATUITEMENT

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 500)
14,59 € 7 295,00 €

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
RAMXEED
Catégorie du produit: F-RAM
RoHS:  
4 Mbit
SPI
50 MHz
512 k x 8
SOP-8
1.7 V
1.95 V
- 40 C
+ 125 C
Reel
Marque: RAMXEED
Sensibles à l’humidité: Yes
Style de montage: SMD/SMT
Tension d'alimentation de fonctionnement: 1.8 V
Type de produit: FRAM
Nombre de pièces de l'usine: 500
Sous-catégorie: Memory & Data Storage
Produits trouvés:
Pour consulter des produits similaires, sélectionnez au moins une case.
Sélectionnez au moins une case pour consulter des produits similaires dans cette catégorie.
Attributs sélectionnés: 0

Fiche technique

Codes de conformité
USHTS:
8542320071
ECCN:
3A991.b.1.b.1
Classifications d’origine
Pays d'origine:
Japon
Pays d'origine de l'assemblage:
Non disponible
Pays de diffusion:
Non disponible
Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

AEC-Q100 Compliant SPI FeRAM Family

RAMXEED AEC-Q100 Compliant SPI Ferroelectric Random Access Memory (FeRAM) Family is a high‑reliability lineup of nonvolatile ferroelectric memories designed for demanding automotive and industrial environments. These devices operate across a wide temperature range of -40°C to +125°C, making the devices suitable for harsh conditions commonly found in vehicles and high‑temperature equipment. Built on FeRAM technology, these RAMXEED components combine the nonvolatility of traditional EEPROM or Flash with the speed and endurance of SRAM‑like memory cells, offering exceptionally high read/write endurance (up to 1014 cycles in many automotive‑grade SPI variants), and instant, delay‑free writes that support frequent data updates without performance degradation.

MB85RS4MLY 4M (512K x 8) Bit SPI FRAM

RAMXEED MB85RS4MLY 4M (512K x 8) Bit SPI FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) chip features a configuration of 524,288 words x 8-bits. The devices utilize the ferroelectric and silicon gate CMOS process technologies to form nonvolatile memory cells. The MB85RS4MLY employs a Serial Peripheral Interface (SPI) and is ideal for high-temperature environment applications.

FRAM (Ferroelectric Random Access Memory)

RAMXEED FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory featuring fast writing speed operation, high read/write endurance, and low power consumption. These features make FRAM ideal for applications requiring continuous data logging, real-time recording of three-dimensional position information, and data protection from sudden power outages.

Une erreur inattendue est survenue.


Avez-vous une question ? Veuillez consulter le centre d’assistance.
Pour toute question concernant une commande spécifique, veuillez vous connecter à votre compte.

Si vous rencontrez d’autres problèmes, veuillez nous contacter au 800-346-6873 ou nous envoyer un e-mail à help@mouser.com.