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MB85RS4MLYPF-G-BCERE1

Name: RAMXEED MB85RS4MLYPF-G-BCERE1
Brand: RAMXEED
SKU: 249-85S4MLYPFGBCERE1
Price: 14.59 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

249-85S4MLYPFGBCERE1

N° de fab. :

MB85RS4MLYPF-G-BCERE1

Fab. :

RAMXEED

Description :

F-RAM 4Mbit FeRAM, SPI, 1.7-1.95V - SOP8 (208mil) T&R (125C)

Fiche technique:

MB85RS4MLYPF-G-BCERE1 Fiche technique (PDF)

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Fabricant:	RAMXEED
Catégorie du produit:	F-RAM
RoHS:
Taille de la mémoire:	4 Mbit
Type d'interface:	SPI
Fréquence de l'horloge max.:	50 MHz
Organisation:	512 k x 8
Package/Boîte:	SOP-8
Tension d’alimentation - Min.:	1.7 V
Tension d’alimentation - Max.:	1.95 V
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 125 C
Conditionnement:	Reel
Marque:	RAMXEED
Sensibles à l’humidité:	Yes
Style de montage:	SMD/SMT
Tension d'alimentation de fonctionnement:	1.8 V
Type de produit:	FRAM
Nombre de pièces de l'usine:	500
Sous-catégorie:	Memory & Data Storage

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Fiche technique

MB85RS4MLYPF-G-BCERE1 Fiche technique (PDF)

USHTS:: 8542320071
ECCN:: 3A991.b.1.b.1

AEC-Q100 Compliant SPI FeRAM Family

RAMXEED AEC-Q100 Compliant SPI Ferroelectric Random Access Memory (FeRAM) Family is a high‑reliability lineup of nonvolatile ferroelectric memories designed for demanding automotive and industrial environments. These devices operate across a wide temperature range of -40°C to +125°C, making the devices suitable for harsh conditions commonly found in vehicles and high‑temperature equipment. Built on FeRAM technology, these RAMXEED components combine the nonvolatility of traditional EEPROM or Flash with the speed and endurance of SRAM‑like memory cells, offering exceptionally high read/write endurance (up to 10¹⁴ cycles in many automotive‑grade SPI variants), and instant, delay‑free writes that support frequent data updates without performance degradation.

MB85RS4MLY 4M (512K x 8) Bit SPI FRAM

RAMXEED MB85RS4MLY 4M (512K x 8) Bit SPI FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) chip features a configuration of 524,288 words x 8-bits. The devices utilize the ferroelectric and silicon gate CMOS process technologies to form nonvolatile memory cells. The MB85RS4MLY employs a Serial Peripheral Interface (SPI) and is ideal for high-temperature environment applications.

FRAM (Ferroelectric Random Access Memory)

RAMXEED FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory featuring fast writing speed operation, high read/write endurance, and low power consumption. These features make FRAM ideal for applications requiring continuous data logging, real-time recording of three-dimensional position information, and data protection from sudden power outages.