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MB85RS512TPNF-G-JNERE1

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N° Mouser :

249-85S512TPNFGJNR1

N° de fab. :

MB85RS512TPNF-G-JNERE1

Fab. :

RAMXEED

Description :

F-RAM 512kbit FeRAM with SPI serial interface - SOP8 T&R

Cycle de vie:

Disponibilité restreinte:

Cette référence n''est actuellement pas disponible auprès de Mouser. Le produit peut être disponible en distribution limitée ou par commande spéciale d''usine.

Fiche technique:

MB85RS512TPNF-G-JNERE1 Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	RAMXEED
Catégorie du produit:	F-RAM
Restrictions en matière d'expédition :	Mouser ne vend pas actuellement ce produit dans votre région.
RoHS:
Taille de la mémoire:	512 kbit
Type d'interface:	SPI
Fréquence de l'horloge max.:	25 MHz, 30 MHz
Organisation:	64 k x 8
Package/Boîte:	SOP-8
Tension d’alimentation - Min.:	1.8 V
Tension d’alimentation - Max.:	3.6 V
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 85 C
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	RAMXEED
Sensibles à l’humidité:	Yes
Style de montage:	SMD/SMT
Tension d'alimentation de fonctionnement:	3.3 V
Type de produit:	FRAM
Nombre de pièces de l'usine:	1500
Sous-catégorie:	Memory & Data Storage

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Fiche technique

MB85RS512TPNF-G-JNERE1 Fiche technique (PDF)

Codes de conformité

CNHTS:: 8542329000
USHTS:: 8542320071
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Chine
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

FRAM (Ferroelectric Random Access Memory)

RAMXEED FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory featuring fast writing speed operation, high read/write endurance, and low power consumption. These features make FRAM ideal for applications requiring continuous data logging, real-time recording of three-dimensional position information, and data protection from sudden power outages.