MB85RS64VPNF-G-AME2

RAMXEED
249-MB85RS64VPNFGAME
MB85RS64VPNF-G-AME2

Fab. :

Description :
F-RAM

Cycle de vie:
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RAMXEED
Catégorie du produit: F-RAM
Tray
Marque: RAMXEED
Sensibles à l’humidité: Yes
Type de produit: FRAM
Nombre de pièces de l'usine: 476
Sous-catégorie: Memory & Data Storage
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Codes de conformité
CAHTS:
8542320090
USHTS:
8542320071
MXHTS:
8542320299
ECCN:
EAR99
Classifications d’origine
Pays d'origine:
Japon
Pays d'origine de l'assemblage:
Non disponible
Pays de diffusion:
Non disponible
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MB85RS256B/128B/64/64V/64VY/16/16N FeRAM Chips

RAMXEED MB85RS256B/128B/64/64V/64VY/16/16N Ferroelectric Random Access Memory (FeRAM) Chips support a wide range of capacities, from 16Kbit to 256Kbit. These chips are configured with 2,048 to 8192 words x 8bits, using ferroelectric process and silicon-gate CMOS process technologies to form the nonvolatile memory cells. The FeRAM chips feature a Serial Peripheral Interface (SPI) and 1012 read/write cycle endurance. These chips can retain data without a backup battery, unlike SRAM. The FeRAM chips operate at 20MHz or 33MHz, with power supply voltages ranging from 2.7V to 3.6V and 3V to 5.5V. These chips are available in SOP-8 (150mil) and SON-8 (2mm x 3mm) packages.