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MS85R4M1TAFN-G-JAE2

Name: RAMXEED MS85R4M1TAFN-G-JAE2
Brand: RAMXEED
SKU: 249-MS85R4M1TAFNGJAE
Price: 15.11 EUR
Availability: OutOfStock

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N° Mouser :

249-MS85R4M1TAFNGJAE

N° de fab. :

MS85R4M1TAFN-G-JAE2

Fab. :

RAMXEED

Description :

F-RAM

Cycle de vie:

Nouveau produit:

Nouveau chez ce fabricant.

Fiche technique:

MS85R4M1TAFN-G-JAE2 Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	15,11 €	1 903,86 €
	15,10 €	3 805,20 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	RAMXEED
Catégorie du produit:	F-RAM
Taille de la mémoire:	4 Mbit
Organisation:	512 K x 8
Package/Boîte:	TSOP-44
Temps d'accès:	120 ns
Tension d’alimentation - Min.:	1.8 V
Tension d’alimentation - Max.:	3.6 V
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 105 C
Conditionnement:	Tray
Marque:	RAMXEED
Sensibles à l’humidité:	Yes
Style de montage:	SMD/SMT
Type de produit:	FRAM
Nombre de pièces de l'usine:	126
Sous-catégorie:	Memory & Data Storage

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Fiche technique

MS85R4M1TAFN-G-JAE2 Fiche technique (PDF)

Codes de conformité

USHTS:: 8542320000
ECCN:: 3A991.b.1.b.1

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Japon
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

Parallel Interface FeRAMs

RAMXEED Parallel Interface FeRAMs are FeRAM (Ferroelectric Random Access Memory) chips available in various bit configurations using ferroelectric and silicon gate CMOS process technologies. These devices can retain data without a backup battery, unlike SRAM. The memory cells in the RAMXEED Parallel Interface FeRAM can support 1014 read/write operations, a significant improvement over the read and write operations supported by Flash memory and E2PROM. These FeRAM devices use a pseudo-SRAM interface.