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2SAR293PT100

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N° Mouser :

755-2SAR293PT100

N° de fab. :

2SAR293PT100

Fab. :

ROHM Semiconductor

Description :

Transistors bipolaires - BJT Trans GP BJT PNP 30V 1A

Cycle de vie:

NRND:

Non recommandé pour de nouvelles conceptions.

Fiche technique:

2SAR293PT100 Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Disponibilité

Stock:: Indisponible

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ROHM Semiconductor

N° de fab. :

2SAR293P5T100

Description :

Transistors bipolaires - BJT PNP -30V Vceo -1A Ic MPT3

Comparer avec la pièce actuelle

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	ROHM Semiconductor
Catégorie du produit:	Transistors bipolaires - BJT
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	SOT-89-3
Polarité du transistor:	PNP
Configuration:	Single
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.:	30 V
Collecteur - Tension de base VCBO:	30 V
Émetteur - Tension de base VEBO:	6 V
Tension de saturation collecteur-émetteur :	350 mV
Pd - Dissipation d’énergie :	2 W
Produit gain-bande passante fT :	320 MHz
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Série:	2SxR
Conditionnement:	Reel
Marque:	ROHM Semiconductor
Courant de collecteur continu :	- 1 A
Collecteur de courant continu/Gain hfe min de base:	270 at - 100 mA, - 2 V
Gain de courant CC hFE max.:	680 at - 100 mA, - 2 V
Type de produit:	BJTs - Bipolar Transistors
Nombre de pièces de l'usine:	1000
Sous-catégorie:	Transistors
Raccourcis pour l'article N°:	2SAR293P