Il semble que vous ayez désactivé JavaScript dans votre navigateur. Certaines fonctions sur cette page ne fonctionneront pas à moins que vous vous connectiez.

Vous voyez une erreur ?

2SB1260T100Q

N° Mouser :

755-2SB1260T100Q

N° de fab. :

2SB1260T100Q

Fab. :

ROHM Semiconductor

Description :

Transistors bipolaires - BJT PNP 80V 1A SO-89

Cycle de vie:

NRND:

Non recommandé pour de nouvelles conceptions.

Fiche technique:

2SB1260T100Q Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

Disponibilité

Stock:: Indisponible

Une erreur inattendue est survenue. Veuillez réessayer ultérieurement.

Prix (EUR)

Demander un devis

Produit similaire

Fab. :

ROHM Semiconductor

N° de fab. :

2SAR554P5T100

Description :

Transistors bipolaires - BJT PNP -50V Vceo -2A Ic MPT3

Comparer avec la pièce actuelle

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	ROHM Semiconductor
Catégorie du produit:	Transistors bipolaires - BJT
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Polarité du transistor:	PNP
Configuration:	Single
Courant CC max. du collecteur:	1 A
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.:	80 V
Collecteur - Tension de base VCBO:	80 V
Émetteur - Tension de base VEBO:	5 V
Tension de saturation collecteur-émetteur :	400 mV
Pd - Dissipation d’énergie :	2 W
Produit gain-bande passante fT :	100 MHz
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Série:	2SB1260
Conditionnement:	Reel
Marque:	ROHM Semiconductor
Courant de collecteur continu :	- 1 A
Collecteur de courant continu/Gain hfe min de base:	82
Gain de courant CC hFE max.:	390
Type de produit:	BJTs - Bipolar Transistors
Nombre de pièces de l'usine:	1000
Sous-catégorie:	Transistors
Poids de l''unité:	130,500 mg