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2SCR552PHZGT100

Name: ROHM Semiconductor 2SCR552PHZGT100
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-2SCR552PHZGT100
Price: 1.01 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

755-2SCR552PHZGT100

N° de fab. :

2SCR552PHZGT100

Fab. :

ROHM Semiconductor

Description :

Transistors bipolaires - BJT NPN, SOT-89, 30V 3A, Middle Power Transistor

Fiche technique:

2SCR552PHZGT100 Fiche technique (PDF)

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-,-- €

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Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	1,01 €	1,01 €
	0,637 €	6,37 €
	0,418 €	41,80 €
	0,323 €	161,50 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 1000)
	0,276 €	276,00 €
	0,248 €	496,00 €
	0,247 €	1 235,00 €
	0,244 €	2 440,00 €
	0,215 €	5 375,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	ROHM Semiconductor
Catégorie du produit:	Transistors bipolaires - BJT
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	SOT-89-3
Polarité du transistor:	NPN
Configuration:	Single
Courant CC max. du collecteur:	3 A
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.:	30 V
Collecteur - Tension de base VCBO:	30 V
Émetteur - Tension de base VEBO:	6 V
Tension de saturation collecteur-émetteur :	400 mV
Pd - Dissipation d’énergie :	2 W
Produit gain-bande passante fT :	280 MHz
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	ROHM Semiconductor
Collecteur de courant continu/Gain hfe min de base:	200 at 500 mA, 2 V
Gain de courant CC hFE max.:	500 at 500 mA, 2 V
Type de produit:	BJTs - Bipolar Transistors
Nombre de pièces de l'usine:	1000
Sous-catégorie:	Transistors
Raccourcis pour l'article N°:	2SCR552PHZG

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Attributs sélectionnés: 0

                        
ROHM Semiconductors AEC-Q101 qualified products are not 
intended for volume automotive production without ROHM 
Semiconductors prior approval. 

Please contact ROHM Semiconductor for Production Part Approval 
Process (PPAP) requirements or contact a Mouser Technical Sales 
Representative for further assistance. 

5-0617-50

Filtrer les documents:

Fiche technique

2SCR552PHZGT100 Fiche technique (PDF)

Specification Sheets

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Codes de conformité

TARIC:: 8541210000
USHTS:: 8541290055
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Corée, République de
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

2Sx Bipolar Junction Transistors (BJTs)

ROHM 2Sx Bipolar Junction Transistors (BJTs) are designed for use in industrial and consumer applications. These BJTs are available in both PNP and NPN polarities. The 2Sx BJT devices are housed in a variety of packages and are designed for medium power surface mount applications. The 2Sx BJTs feature a wide storage temperature (T_stg) range of -55°C to +150°C and a junction temperature (T_J) of +150°C. Typical applications include general purpose small signal amplifiers, power supplies, high-speed switching, and low-frequency amplifiers.