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EMT3T2R

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N° Mouser :

755-EMT3T2R

N° de fab. :

EMT3T2R

Fab. :

ROHM Semiconductor

Description :

Transistors bipolaires - BJT DUAL PNP 50V 150MA

Cycle de vie:

NRND:

Non recommandé pour de nouvelles conceptions.

Fiche technique:

EMT3T2R Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Disponibilité

Stock:: Indisponible

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Prix (EUR)

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ROHM Semiconductor

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Transistors bipolaires - BJT DUAL PNP 50V 150MA

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	ROHM Semiconductor
Catégorie du produit:	Transistors bipolaires - BJT
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	SOT-563-6
Polarité du transistor:	PNP
Configuration:	Dual
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.:	50 V
Collecteur - Tension de base VCBO:	60 V
Émetteur - Tension de base VEBO:	6 V
Tension de saturation collecteur-émetteur :	500 mV
Pd - Dissipation d’énergie :	150 mW
Produit gain-bande passante fT :	140 MHz
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Série:	EMT3
Conditionnement:	Reel
Marque:	ROHM Semiconductor
Courant de collecteur continu :	- 150 mA
Collecteur de courant continu/Gain hfe min de base:	120 at - 1 mA, - 6 V
Gain de courant CC hFE max.:	560 at - 1 mA, - 6 V
Type de produit:	BJTs - Bipolar Transistors
Nombre de pièces de l'usine:	8000
Sous-catégorie:	Transistors
Raccourcis pour l'article N°:	EMT3