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HT8KE5HTB1

Name: ROHM Semiconductor HT8KE5HTB1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-HT8KE5HTB1
Price: 1.52 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

755-HT8KE5HTB1

N° de fab. :

HT8KE5HTB1

Fab. :

ROHM Semiconductor

Description :

MOSFET HSMTR 100V 6.5A N CHAN MOS

Cycle de vie:

Nouveau produit:

Nouveau chez ce fabricant.

Fiche technique:

HT8KE5HTB1 Fiche technique

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	1,52 €	1,52 €
	0,972 €	9,72 €
	0,648 €	64,80 €
	0,512 €	256,00 €
	0,468 €	468,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	0,435 €	1 305,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	ROHM Semiconductor
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	HSMT-8
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	2 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	100 V
Id - Courant continu de fuite:	6.5 A
Rds On - Résistance drain-source:	210 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4 V
Qg - Charge de grille:	3.7 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	13 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	ROHM Semiconductor
Configuration:	Dual
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	CN
Temps de descente:	6.3 ns
Transconductance directe - min.:	1.5 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	6.2 ns
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	11 ns
Délai d'activation standard:	5.7 ns