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HT8MA5TB1

Name: ROHM Semiconductor HT8MA5TB1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-HT8MA5TB1
Price: 0.45 EUR
Availability: OutOfStock

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Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

755-HT8MA5TB1

N° de fab. :

HT8MA5TB1

Fab. :

ROHM Semiconductor

Description :

MOSFET 30V 7.5A/9A, Dual Nch+Pch, HSMT8, Power MOSFET : HT8MA5 is a power MOSFET with low on-resistance and High power small mold package, suitable for Switching and Motor drives applications.

Cycle de vie:

Nouveau produit:

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Fiche technique:

HT8MA5TB1 Fiche technique

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	ROHM Semiconductor
Catégorie du produit:	MOSFET
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	HSMT-8
Polarité du transistor:	N-Channel, P-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	30 V, 30 V
Id - Courant continu de fuite:	- 12 A, 12 A
Rds On - Résistance drain-source:	16.4 mOhms, 34.4 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.5 V, 2.5 V
Qg - Charge de grille:	14.5 nC, 18.8 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	14 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Marque:	ROHM Semiconductor
Configuration:	Dual
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	CN
Temps de descente:	7 ns, 21 ns
Transconductance directe - min.:	5.7 S, 6 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	13 ns, 20 ns
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel, 1 P-Channel
Délai de désactivation type:	33 ns, 52 ns
Délai d'activation standard:	8 ns, 9.5 ns