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QH8K22TCR

Name: ROHM Semiconductor QH8K22TCR
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-QH8K22TCR
Price: 0.93 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

755-QH8K22TCR

N° de fab. :

QH8K22TCR

Fab. :

ROHM Semiconductor

Description :

MOSFET 40V Nch+Nch Small Signal MOSFET

Cycle de vie:

NRND:

Non recommandé pour de nouvelles conceptions.

Fiche technique:

QH8K22TCR Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
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	0,584 €	5,84 €
	0,383 €	38,30 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
500	Devis

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	ROHM Semiconductor
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	TSMT-8
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	2 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	40 V
Id - Courant continu de fuite:	6.5 A
Rds On - Résistance drain-source:	46 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.5 V
Qg - Charge de grille:	2.6 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	2.5 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	ROHM Semiconductor
Configuration:	Dual
Temps de descente:	2 ns
Transconductance directe - min.:	2.6 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	2.9 ns
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	2 N-Channel
Délai de désactivation type:	15 ns
Délai d'activation standard:	3.9 ns
Raccourcis pour l'article N°:	QH8K22
Poids de l''unité:	10 mg