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QS8M13TCR

Name: ROHM Semiconductor QS8M13TCR
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-QS8M13TCR
Price: 1.54 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

755-QS8M13TCR

N° de fab. :

QS8M13TCR

Fab. :

ROHM Semiconductor

Description :

MOSFET 4V Drive Nch + Pch MOSFET

Cycle de vie:

Fin de vie:

Ce produit va devenir obsolète et ne sera plus disponible chez le fabricant.

Fiche technique:

QS8M13TCR Fiche technique

Modèle de ECAO:

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-,-- €

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-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	1,54 €	1,54 €
	0,98 €	9,80 €
	0,651 €	65,10 €
	0,534 €	267,00 €
	0,467 €	467,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	0,43 €	1 290,00 €
	0,427 €	2 562,00 €
	0,426 €	3 834,00 €
	0,425 €	10 200,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Fab. :

ROHM Semiconductor

N° de fab. :

QH8MA3TCR

Description :

MOSFET 30V N+P Ch MOSFET

Comparer avec la pièce actuelle

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	ROHM Semiconductor
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	TSMT-8
Polarité du transistor:	N-Channel, P-Channel
Nombre de canaux:	2 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	30 V
Id - Courant continu de fuite:	5 A, 6 A
Rds On - Résistance drain-source:	28 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.5 V
Qg - Charge de grille:	5.5 nC
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	1.5 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	ROHM Semiconductor
Configuration:	Dual
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	TH
Temps de descente:	7 ns
Transconductance directe - min.:	3 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	40 ns
Série:	QS8M13
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel, 1 P-Channel
Délai de désactivation type:	35 ns
Délai d'activation standard:	8 ns
Raccourcis pour l'article N°:	QS8M13
Poids de l''unité:	10 mg